專訪長(zhǎng)瑞光電研發(fā)副總許聰基先生：25G VCSEL助力我國(guó)光通訊突破高端芯片瓶頸

  ICC訊 2021是我國(guó)十四五規(guī)劃開(kāi)局之年，5G、數(shù)據(jù)中心等新基建的快速發(fā)展為雙千兆網(wǎng)絡(luò)建設(shè)提供推進(jìn)助力。雙千兆網(wǎng)絡(luò)需要依托更高速光網(wǎng)絡(luò)，而光纖通訊技術(shù)產(chǎn)業(yè)則是實(shí)現(xiàn)高速光網(wǎng)絡(luò)的唯一力量，尤其是高速光器件和光電芯片的迭代發(fā)展將對(duì)下一代的高速光通互聯(lián)產(chǎn)生根本性影響。

  近日，訊石光通訊網(wǎng)拜訪了高速光芯片制造商蘇州長(zhǎng)瑞光電有限公司(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)瑞光電)，公司主要從事III-V族半導(dǎo)體激光器芯片的研發(fā)和制造，擁有自主的晶圓到流片的生產(chǎn)線，完整的光學(xué)性能以及可靠性測(cè)試能力。產(chǎn)品主要應(yīng)用于高速光通信與消費(fèi)類電子產(chǎn)品。長(zhǎng)瑞光電研發(fā)副總許聰基先生接受訊石采訪，他表示光通訊受到新基建帶來(lái)的5G和數(shù)據(jù)中心需求的帶動(dòng)，將為VCSEL、DFB、EML等光芯片需求帶來(lái)強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力。

  瞄準(zhǔn)高速光通訊需求提供高競(jìng)爭(zhēng)力VCSEL產(chǎn)品

  當(dāng)前，5G和數(shù)據(jù)中心等光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用正向25G/100G/200G/400G乃至更高速率發(fā)展，單通道的25G、50G和100G芯片需求正在快速起量。面對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展，據(jù)許總介紹，長(zhǎng)瑞光電于2018年進(jìn)行業(yè)務(wù)重組，目前主要致力于VCSEL光芯片的研制，目前產(chǎn)品主要為針對(duì)高速光模塊應(yīng)用的850-nm多模25 Gb/s和50 Gb/s 系列VCSEL芯片。此外，公司還為各類HDMI光纖電纜及消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供定制化的VCSEL芯片設(shè)計(jì)與制造服務(wù)。

  許總在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有數(shù)十年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，他認(rèn)為要實(shí)現(xiàn)高可靠的光芯片產(chǎn)品，需要依托優(yōu)秀的研發(fā)人員、先進(jìn)的工藝設(shè)備、完善的測(cè)試工序以及把控外延材料的一致性。據(jù)介紹，目前公司員工100余人，研發(fā)團(tuán)隊(duì)占整體40%，隨著新廠房的遷入和投用，目前已有10000平方米的總廠房面積，包括車間面積5000平方米，以及投入重大資金建設(shè)先進(jìn)一流的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室。

  公司致力于打造垂直整合的光芯片研發(fā)和生產(chǎn)體系，在規(guī)劃方面已經(jīng)投入VCSEL外延片生長(zhǎng)項(xiàng)目，并具備VCSEL外延設(shè)計(jì)、芯片設(shè)計(jì)和芯片測(cè)試能力，有效保障VCSEL產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力?；趦?nèi)部研發(fā)設(shè)施，公司可以自主完成絕大部分的性能測(cè)試，例如VCSEL直流特性、交流性能測(cè)量以及老化測(cè)試(Burn in)。

  長(zhǎng)瑞光電以光通訊高速VCSEL光芯片作為切入市場(chǎng)的主力產(chǎn)品，VCSEL激光器芯片在5G、數(shù)據(jù)中心短距離場(chǎng)景存有海量市場(chǎng)需求。據(jù)Lightcounting預(yù)測(cè)，2021-2025年數(shù)據(jù)中心光模塊市場(chǎng)需求增長(zhǎng)將達(dá)68億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率將超過(guò)10%。同時(shí)，為應(yīng)對(duì)更多的傳輸距離要求，長(zhǎng)瑞光電將計(jì)劃開(kāi)發(fā)SWDM短波長(zhǎng)和新型DFB激光芯片產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于今年底完成初階段的芯片樣品供客戶驗(yàn)證，并建設(shè)一條DFB激光器芯片產(chǎn)線。

  激光器芯片國(guó)產(chǎn)化加速垂直整合保證核心競(jìng)爭(zhēng)力

  在光電子領(lǐng)域，激光器芯片具有極高的技術(shù)壁壘和復(fù)雜的工藝流程，不僅是光模塊核心元器件，在占據(jù)光模塊BOM成本結(jié)構(gòu)的最大部分，更是故障發(fā)生最大來(lái)源。

  長(zhǎng)瑞光電總經(jīng)理 蕭越

  美國(guó)光通訊資深專家，現(xiàn)任長(zhǎng)瑞光電總經(jīng)理蕭越先生曾表示，當(dāng)前激光器芯片技術(shù)發(fā)展呈國(guó)產(chǎn)化加速替代趨勢(shì)。越高速、高端的光模塊，其芯片成本占比越高。目前國(guó)內(nèi)高端芯片嚴(yán)重依賴于美日公司，同時(shí)由于中美關(guān)系的不確定性，光模塊的供應(yīng)鏈管理面臨巨大挑戰(zhàn)。

  從產(chǎn)業(yè)歷史來(lái)看，我國(guó)光通訊產(chǎn)業(yè)鏈長(zhǎng)期呈現(xiàn)上游薄弱和中下游產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勢(shì)的局面，以上游VCSEL光芯片為例，盡管我國(guó)在25G及以上更高速率VCSEL芯片的需求量巨大，但是國(guó)內(nèi)企業(yè)目前普遍掌握10G速率及以下的VCSEL芯片的量產(chǎn)技術(shù)，25G VCSEL芯片高度依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)化率仍然較低。

  訊石認(rèn)為，IDM垂直整合模式對(duì)于化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有積極意義，因?yàn)楦黝怴CSEL芯片初創(chuàng)企業(yè)大多采用Fabless模式，外延生長(zhǎng)和流片加工嚴(yán)重依賴美國(guó)、日本、中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)，缺乏完整、穩(wěn)定的光芯片加工工藝線以及高素質(zhì)的工藝人才隊(duì)伍難以形成完備的標(biāo)準(zhǔn)化光通信器件研發(fā)體系,導(dǎo)致光通訊在缺芯這一產(chǎn)業(yè)共性問(wèn)題上突出，高速光芯片已成為制約我國(guó)下一代光通訊發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸之一。

  長(zhǎng)瑞光電暨研發(fā)負(fù)責(zé)人許聰基先生(中)

  因此，IDM垂直整合正是長(zhǎng)瑞光電的核心優(yōu)勢(shì)，如許總建言，長(zhǎng)瑞光電專注在光通訊高速VCSEL研發(fā)與制造，依托自己的生產(chǎn)線并持續(xù)改造提升，用高競(jìng)爭(zhēng)力25G VCSEL打開(kāi)市場(chǎng)。與外協(xié)代工制造的差異在于研發(fā)過(guò)程循環(huán)迭代的時(shí)間，自主生產(chǎn)保證時(shí)間周期和制程細(xì)節(jié)以及可靠性測(cè)試，為保障產(chǎn)品最終質(zhì)量奠定基礎(chǔ)。

  長(zhǎng)瑞光電光芯片研發(fā)項(xiàng)目的實(shí)施不僅有助于打破國(guó)外巨頭在高端 VCSEL光芯片產(chǎn)品方面的壟斷現(xiàn)狀，加快突破光通訊產(chǎn)業(yè)共性瓶頸，更為迫切需要核心芯片多元化供應(yīng)的國(guó)內(nèi)光模塊企業(yè)提供理想的解決方案，為加速即將到來(lái)的下一代光網(wǎng)絡(luò)創(chuàng)造更高價(jià)值。