臺(tái)積電：2納米2025年量產(chǎn)！

  ICC訊  據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電2納米制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先其對(duì)手三星及英特爾。

  據(jù)報(bào)道，搭配FINFLEX架構(gòu)的3納米制程下半年量產(chǎn)。先進(jìn)封裝部分，首座全自動(dòng)化3DFabric晶圓廠(chǎng)預(yù)計(jì)于2022年下半年開(kāi)始生產(chǎn)。

  臺(tái)積電2納米廠(chǎng)將落地竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)劃用地中，“竹科管理局局長(zhǎng)”王永壯日前表示，竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)劃用地依規(guī)劃推進(jìn)公共設(shè)施建設(shè)，用地廠(chǎng)商臺(tái)積電也開(kāi)始進(jìn)行整地作業(yè)。

  臺(tái)積電2納米首次采用納米片架構(gòu)，在相同功耗下較3納米速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%，應(yīng)用包含行動(dòng)運(yùn)算、高效能版本及完備的小晶片整合解決方案，預(yù)計(jì)2025年開(kāi)始量產(chǎn)。

  臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理米玉杰表示，將在2024年取得ASML下世代極紫外光微影設(shè)備(high-NA EUV)，為客戶(hù)發(fā)展相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施與架構(gòu)解決方案。臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)則表示，2024年取得設(shè)備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究，尚不會(huì)量產(chǎn)。