【重磅突破】驛天諾實(shí)現(xiàn)晶圓級端面耦合技術(shù)

  ICC訊 近日，驛天諾實(shí)現(xiàn)了晶圓級端面耦合技術(shù)，此項(xiàng)技術(shù)成果填補(bǔ)了國內(nèi)晶圓級EC耦合的空缺，為國內(nèi)半導(dǎo)體市場注入新的動力。晶圓端面耦合是半導(dǎo)體行業(yè)光電測試的一種關(guān)鍵技術(shù)，在光電子集成、通信和傳感器等領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用。

  技術(shù)概述 TECHNICAL OVERVIEW

  晶圓級端面耦合技術(shù)，通常指的是在晶圓上實(shí)現(xiàn)芯片光波導(dǎo)端面與光纖之間直接光學(xué)耦合的技術(shù)。這種耦合方式通常需要解決極小尺度內(nèi)的模斑尺寸轉(zhuǎn)換、光傳輸路徑定制、高精度視覺定位等難點(diǎn)，對于提高測試系統(tǒng)集成度與在片測試效率、監(jiān)控工藝制程質(zhì)量、預(yù)判芯片良率等均有著極其重要的意義。

晶圓測試系統(tǒng)外觀圖

  主要特點(diǎn) KEY FEATURES

  先進(jìn)的晶圓級端面耦合

  晶圓級對端面耦合器及芯片進(jìn)行在線測試。

  高效的機(jī)器視覺對準(zhǔn)

  借助計算機(jī)視覺實(shí)現(xiàn)光纖與端面耦合器的高精度對準(zhǔn)。

  定制化的自動測試

  全自動OO/OE/EE/RF測試，定制化設(shè)計模斑與通道間距，最高支持64通道。

  關(guān)鍵挑戰(zhàn) KEY CHALLENGES

  晶圓端面耦合

  傳統(tǒng)的端面耦合測試以芯片級為主，晶圓級端面耦合需要在幾十微米甚至更小的尺寸范圍內(nèi)以極低的光學(xué)損耗為目標(biāo)，同時實(shí)現(xiàn)光場模斑轉(zhuǎn)換與傳輸路徑的近90°全反射，是對加工制造精度和光學(xué)設(shè)計的雙重挑戰(zhàn)。

  小模斑光探針與芯片端面對準(zhǔn)

  光探針深入百微米trench后，由于缺乏側(cè)面視覺實(shí)時觀測，僅靠頂部視覺定位，會導(dǎo)致光探針與芯片端面相撞風(fēng)險大幅增加。

  驛天諾解決方案 SOLUTION針對晶圓端面耦合的關(guān)鍵挑戰(zhàn),可以采用以下解決方案

  借助先進(jìn)的雙光子3D打印技術(shù)，可定制2.3~10.4μm模斑的透鏡光纖陣列，實(shí)現(xiàn)晶圓級的端面耦合方案，損耗低至1dB以下。

測試過程中觀察透鏡光纖陣列

  自主研發(fā)新型視覺輔助結(jié)構(gòu)，視覺輔助定位精度低至5μm以下，結(jié)合實(shí)時耦合功率反饋，確保晶圓與光探針的物料安全，有效降低測試成本。

晶圓測試系統(tǒng)GUI操作界面

  主要功能參數(shù) MAIN FUNCTIONNAL PARAMETERS

  結(jié)論總結(jié)SUMMARY OF CONCLUSIONS

  晶圓端面耦合技術(shù)是實(shí)現(xiàn)晶圓級光電參數(shù)測量以及光芯片全新交付模式的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和測試降成本的訴求，晶圓端面耦合技術(shù)將在更廣泛的光電領(lǐng)域得到應(yīng)用。驛天諾重磅推出晶圓端面耦合測試設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了更加高效、緊湊、可靠的晶圓端面耦合測試技術(shù)方案，將會為硅光和薄膜鈮酸鋰等領(lǐng)域帶來更多的創(chuàng)新和突破!

  企業(yè)簡介 COMPANY PROFILE

  武漢驛天諾科技有限公司專注于第三代半導(dǎo)體&硅光封測設(shè)備，團(tuán)隊(duì)擁有成熟的量產(chǎn)級半導(dǎo)體封測裝備開發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，具備整機(jī)系統(tǒng)創(chuàng)新研發(fā)能力以及核心部件國產(chǎn)化研發(fā)能力;公司致力于成為該領(lǐng)域優(yōu)秀企業(yè)?？蛻羧耗壳案采w多家國內(nèi)外知名企業(yè)，并在設(shè)備性能、服務(wù)等各方面獲得高度認(rèn)可。驛天諾將不斷深耕第三代半導(dǎo)體&硅光裝備與核心關(guān)鍵技術(shù)，以客戶需求為導(dǎo)向，與客戶攜手并進(jìn)，共同開拓產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)圖。