SK海力士將投資 1060 億美元在韓國(guó)建設(shè)芯片工廠，第四季度動(dòng)工

  ICC訊 據(jù)韓國(guó)媒體消息，芯片制造商SK 海力士新建工廠的規(guī)劃今日得到韓國(guó)政府批準(zhǔn)，該工廠總投資額將達(dá)到 1060 億美元，地點(diǎn)位于首爾南部約50 公里的位置。

  消息表示，SK 海力士此工廠總面積額將達(dá)到 415 萬平方米，計(jì)劃主要生產(chǎn) DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度開工，2025 年建成投產(chǎn)。這一大型工廠將包含四個(gè)晶圓加工廠，每個(gè)月產(chǎn)量為 80 萬片。

  SK 海力士近日表示，將在未來 10 年內(nèi)開發(fā) 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片，以及 600 層堆疊的 NAND 閃存。截至目前，該公司已經(jīng)成功研發(fā)出 176 層堆疊的 3D NAND。新技術(shù)將引入新的電介質(zhì)材料來保持均勻電荷，從而保持可靠性，減少漏電。