長光華芯投資10億元建設先進化合物半導體光電子平臺

  ICC訊 近日，蘇州長光華芯光電技術股份有限公司(簡稱長光華芯)宣布將投資10億元建設新型先進化合物半導體光電子平臺，計劃建設總建筑面積約46,293平方米的生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動力站及配套設施。此舉將提升公司的產(chǎn)品供應能力，進一步鞏固和擴大公司的市場份額，有利于完善公司光電子產(chǎn)業(yè)鏈布局。

  據(jù)了解，蘇州高新區(qū)聚焦光子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈深度融合，以加速打造千億級光子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群為目標，持續(xù)優(yōu)化光子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)生態(tài)。

  為響應蘇州太湖光子中心建設推進暨蘇州高新區(qū)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群發(fā)展的號召，長光華芯全資子公司“研究院”與蘇州科技城管理委員會簽訂了《蘇州科技城管理委員會與蘇州長光華芯半導體激光創(chuàng)新研究院有限公司項目投資合作協(xié)議》。

  長光華芯擬計劃根據(jù)項目進程，合理分期投資自有資金及自籌資金10億元在太湖科學城建設先進化合物半導體光電子平臺項目(包括生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動力站及配套設施建設，設備采購及后期運營等)。本項目將形成年產(chǎn)1億顆芯片、500萬器件的能力，具備氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等激光器和探測器芯片的產(chǎn)線建設及器件封裝能力，具備其他高功率半導體激光器芯片等功率芯片研發(fā)、封測能力(包括 6-8 寸器件封測生產(chǎn)線建設)。

  項目計劃2023年開工，2025 年建成投產(chǎn)，本項目預計年產(chǎn)值不低于6億元，年納稅額3410萬元。

  本次投資的項目內(nèi)容有利于提升長光華芯的產(chǎn)品供應能力，進一步鞏固和擴大公司的市場份額。有利于完善公司光電子產(chǎn)業(yè)鏈布局，推動公司與地方政府實現(xiàn)優(yōu)勢互補、互惠。

  長光華芯擬進行的項目建設將增加公司資本開支和現(xiàn)金支出，但對公司長期的業(yè)務布局和經(jīng)營業(yè)績具有積極影響，符合公司整體戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃。