ICCSZ訊 面臨美國在芯片領(lǐng)域“卡脖子”,中國企業(yè)繼續(xù)布局。關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的臺灣《電子時報》13日報道稱,中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺積電,奪得華為旗下芯片企業(yè)海思半導(dǎo)體公司的14納米FinFET工藝芯片代工訂單。
截圖:《電子時報》
此前,海思的14納米訂單主要交給臺積電在南京的12寸晶圓廠生產(chǎn)線完成。該廠投資30億美元,2018年底投入運(yùn)營,規(guī)劃月產(chǎn)能2萬片。
據(jù)“中國閃存市場”網(wǎng)站報道,中芯國際從2015年開始研發(fā)14納米,目前良品率已經(jīng)達(dá)到95%。業(yè)內(nèi)人士13日透露,海思已經(jīng)下單中芯國際新出爐的14納米工藝,從臺積電南京廠手中搶下了訂單。
1月9日,中芯國際網(wǎng)站轉(zhuǎn)載《浦東時報》文章作為“官宣”,透露其在上海浦東的中芯南方集成電路制造有限公司(中芯南方廠),去年第三季度成功實現(xiàn)第一代14納米FinFET工藝量產(chǎn)。
該廠擁有目前國內(nèi)首條14納米生產(chǎn)線,也是中國大陸芯片制造領(lǐng)域最先進(jìn)的生產(chǎn)基地。按規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后,這里將建成兩條月產(chǎn)能均為3.5萬片的集成電路先進(jìn)生產(chǎn)線,并助力未來5G、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子等新興應(yīng)用的發(fā)展。
位于浦東的中芯南方廠 圖自:中芯國際官網(wǎng)
文章還提到,12納米技術(shù)也已開始客戶導(dǎo)入,下一代技術(shù)的研發(fā)也穩(wěn)步開展。中芯國際官方曾披露,12納米的工藝比14納米功耗降低20%、性能提升10%、錯誤率降低20%。
中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍對國內(nèi)芯片代工行業(yè)前景持樂觀看法,他表示,基于5G相關(guān)設(shè)備對芯片的需求,中國大陸芯片代工行業(yè)2020年將實現(xiàn)復(fù)蘇。
港媒報道,有業(yè)者認(rèn)為,臺積電無緣華為海思14納米代工大單與美國此前針對華為的禁令有關(guān)。
去年12月有消息稱,美國計劃將禁令中“源自美國的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)”從25%比重降至10%,以全力阻斷臺積電等非美企業(yè)向華為供貨。外媒報導(dǎo)指出,臺積電內(nèi)部評估,7納米源自美國技術(shù)比率不到10%,仍可繼續(xù)供貨,但14納米將受到限制。
隨后,供應(yīng)鏈傳出消息稱,華為旗下主力芯片廠海思正加速將芯片產(chǎn)品轉(zhuǎn)進(jìn)至7納米和5納米先進(jìn)制程,14納米產(chǎn)品分散到中芯國際投片,避開美方牽制。
今年年初,此前只向華為供應(yīng)芯片的海思半導(dǎo)體宣布向華為之外的企業(yè)供應(yīng)芯片。業(yè)內(nèi)認(rèn)為,基于扶植大陸晶圓代工廠的目標(biāo),中芯國際今年勢必將擴(kuò)大國內(nèi)晶圓代工市場的市占率。
彭博社稱,為應(yīng)對潛在風(fēng)險,臺積電已聘請曾于英特爾(intel)服務(wù)的前法律及政策集團(tuán)副總裁Peter Cleveland擔(dān)任副總裁,希望通過進(jìn)行政府游說工作,來降低美國打壓華為的策略對臺積電的影響。
此外,美國對華為的打壓使眾多美企遭受重創(chuàng),高通(Qualcomm)、賽靈思(Xilinx)等科技公司都希望美國政府改變這一局面。